作為半導(dǎo)體工業(yè)中的重要分支之一，在使用單晶硅或多晶硅制造芯片時(shí)，化學(xué)氣相沉積CVD是其中極其重要的一道工序，它是是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。那么單晶硅氣相沉積主要用到哪些氣體呢？一般而言，使用化學(xué)氣相沉積法外延單（多）晶硅薄膜時(shí)主要的硅源氣體包括硅烷SiH4、二氯硅烷SiH2Cl2、三氯硅烷SiHCl3和四氯化硅SiCl4等，而在現(xiàn)場(chǎng)安裝使用氣相外延CVD有害氣體報(bào)警器就是為了對(duì)這些氣體泄漏濃度進(jìn)行監(jiān)測(cè)，避免發(fā)生危險(xiǎn)。

薄膜單晶體的外延生長(zhǎng)主要是在經(jīng)過切、磨、拋等精細(xì)加工的單晶襯底上生長(zhǎng)一層合乎要求的單晶層，其實(shí)質(zhì)是一種利用襯底作為籽晶的薄膜單晶生長(zhǎng)方法?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說，它是很簡(jiǎn)單的，兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。 晶硅薄膜化學(xué)氣相沉積CVD主要硅源氣體：
1、硅烷SiH4
硅烷，在常溫常壓狀態(tài)下是一種具有大蒜惡心氣味的無(wú)色氣體，化學(xué)式為SiH4，既屬于可燃易爆氣體，同時(shí)又屬于對(duì)人體有毒有害的氣體，爆炸極限為0.8%～98%，環(huán)境空氣中的硅烷處于此濃度范圍內(nèi)時(shí)，遇明火、電弧、火花、高溫等就有可能發(fā)生爆炸。人體不慎吸入硅烷蒸氣后，引起頭痛、頭暈、發(fā)熱、惡心、多汗；嚴(yán)重者面色蒼白，脈搏微弱，陷入半昏迷狀態(tài)。
2、二氯硅烷SiH2Cl2
二氯硅烷，在常溫常壓狀態(tài)下是一種具有特殊氣味的無(wú)色氣體，化學(xué)式為SiH2Cl2，既屬于可燃易爆氣體，同時(shí)又屬于對(duì)人體有毒有害的氣體，爆炸極限為4.1%～96%，環(huán)境空氣中的二氯硅烷處于此濃度范圍內(nèi)時(shí)，遇明火、電弧、火花、高溫等就有可能發(fā)生爆炸。對(duì)上下呼吸道、皮膚和眼睛有腐蝕性和刺激性，人體不慎吸入后，有流淚、咳嗽、咳痰、呼吸困難、流涎等?？梢鸱窝谆蚍嗡[。眼接觸可致灼傷，導(dǎo)致失明。  
3、三氯硅烷SiHCl3
三氯硅烷，在常溫常壓狀態(tài)下是一種無(wú)色液體，化學(xué)式為SiHCl3，具有一定的揮發(fā)性，其揮發(fā)蒸汽既屬于可燃易爆氣體，同時(shí)又屬于對(duì)人體有毒有害的氣體，爆炸極限為1.2%～90.5%，環(huán)境空氣中的三氯硅烷蒸汽處于此濃度范圍內(nèi)時(shí)，遇明火、電弧、火花、高溫等就有可能發(fā)生爆炸。對(duì)眼和呼吸道粘膜有強(qiáng)烈刺激作用。高濃度下，引起角膜混濁、呼吸道炎癥，甚至肺水腫。并可伴有頭昏、頭痛、乏力、惡心、嘔吐、心慌等癥狀。濺在皮膚上，可引起壞死，潰瘍長(zhǎng)期不愈。慢性中毒見慢性卡他性氣管炎、支氣管炎及早期肺硬化。  
4、四氯化硅SiCl4
四氯硅烷，在常溫常壓狀態(tài)下是一種有刺激性氣味的無(wú)色或淡黃色發(fā)煙液體，化學(xué)式為SiCl4，具有強(qiáng)烈的揮發(fā)性，其揮發(fā)蒸汽屬于對(duì)人體有毒有害的氣體，對(duì)眼睛及上呼吸道有強(qiáng)烈刺激作用。高濃度可引起角膜混濁，呼吸道炎癥，甚至肺水腫。皮膚接觸后可引起組織壞死。主要用于制造有機(jī)硅化合物，如硅酸酯、有機(jī)硅油、高溫絕緣漆、有機(jī)硅樹脂、硅橡膠和耐熱墊襯材料。 以采用進(jìn)口高精度氣體傳感器的ERUN-PG51S6固定在線式有毒有害氣體檢測(cè)報(bào)警儀為例，可以同時(shí)檢測(cè)并顯示硅烷SiH4、二氯硅烷SiH2Cl2、三氯硅烷SiHCl3和四氯化硅SiCl4等氣體的濃度值，超標(biāo)聲光報(bào)警，并聯(lián)鎖自動(dòng)控制排氣風(fēng)機(jī)的啟停，測(cè)量數(shù)據(jù)結(jié)果可通過分線制4-20 mA模擬信號(hào)量或總線制RS 485（Modbus RTU）數(shù)字量信號(hào)以及無(wú)線模式傳輸，通過ERUN-PG36E氣體報(bào)警控制器在值班室實(shí)時(shí)顯示有害氣體的濃度值，并相應(yīng)的觸發(fā)報(bào)警動(dòng)作。 氣相沉積有害氣體檢測(cè)報(bào)警儀技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào)：ERUN-PG51S6
檢測(cè)氣體：SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4
量程范圍：0～1、10、100、1000、5000、50000ppm、100%LEL、20%、50%、100%Vol可選，其他量程可訂制
分 辨 率：0.001ppm（0-10ppm高精度）/0.01ppm（0～10 ppm）；0.01ppm（0～100 ppm），0.1ppm（0～1000 ppm），1ppm（0～5000 ppm以上）； 0.1%LEL；0.01%、0.001%Vol
方法原理：電化學(xué)、催化燃燒、紅外、半導(dǎo)體、PID光離子等可選
精度誤差：≤±2%F.S.（更高精度可訂制）
顯示方式：報(bào)警器2.5寸彩屏現(xiàn)場(chǎng)顯示濃度值；控制器主機(jī)9寸彩屏值班室顯示濃度值
報(bào)警方式：現(xiàn)場(chǎng)聲光報(bào)警，值班室聲光報(bào)警
數(shù)據(jù)傳輸：4-20mA、RS485，可選無(wú)線傳輸
防護(hù)功能：IP66級(jí)防水防塵
防爆功能：隔爆型，Ex d ⅡC T6 Gb級(jí)防爆

以上就是關(guān)于單晶硅氣相沉積主要用到哪些氣體的相關(guān)介紹，化學(xué)氣相沉積（CVD）是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。而在現(xiàn)場(chǎng)安裝使用氣相外延CVD有害氣體報(bào)警器就是為了對(duì)現(xiàn)場(chǎng)的硅烷SiH4、二氯硅烷SiH2Cl2、三氯硅烷SiHCl3和四氯化硅SiCl4等有害氣體的濃度值進(jìn)行檢測(cè)，以免發(fā)生燃爆或人員中毒的危險(xiǎn)。